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摩托罗拉推出用于3G的SiGe:C流程

摩托罗拉推出SiGe:来自E-InSiteMotorola半导体产品部门的3G新闻的C流程开发出0.18微米硅锗:碳(SiGe:C)工艺技术,用于制造第三代(3G)无线器件。该公司表示,下一代SiGe:CBiCMOS技术的晶体管的fmax为110GHz,这证明了3G无线和千兆光通信应用的良好RF功率增益和低噪声.Motorola也表示该技术使用了异质结双极晶体管(HBT)模块来自该公司之前的0.35微米BiCMOS产品以及先进的铜后端。该技术还基于其0.18微米低功耗CMOS逻辑平台,旨在支持多达五层铜金属化。摩托罗拉表示,这是其第二代技术,提供1.6fF/微米2MIM电容器,以及具有不匹配和极低温度系数的薄膜电阻器。该技术专为无线用户和连接市场的高性能部分而设计,摩托罗拉称,例如3G,蓝牙2收发器和5GHz无线局域网。“与最近宣布的其他0.18微米SiGe技术不同,摩托罗拉的SiGe:C采用高性能嵌入式射频无源器件,如高Q电容器和铜电感器,”BehroozAbdi,vp和将军说。摩托罗拉无线电产品部经理。“集成这些组件不仅可以实现带有RF+DSP+Micro的单芯片无线电,而且还可以显着减少构成无线终端产品的分立部件数量。我们的客户可以期望能够构建同时针对成本,尺寸和电流消耗进行优化的器件,而且不会影响性能。“摩托罗拉表示,它预计将在2002年第一季度获得0.18微米HBTBiCMOS工艺的认证。

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