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科学家在光纤内构建Fets

PierSazio博士开发了一种高压版化学气相沉积(CVD)工艺,通常用于在平面基板上沉积半导体层。

非常应用CVD受限制的几何形状-例如微结构光纤-很难,因为任何与完美填充的偏差都会导致光纤中心的孔堵塞,从而导致沉积。

通过将系统压力提高到10-100MPa,Sazio设法在纤维内部沉积硅和锗的多晶和单晶层,孔径小至10nm。顺序沉积产生硅锗异质结,并且在100V时完全夹断Fet。

“我们在光纤内部实际构建Fet的原因是,进行电气特性测量是了解半导体材料特性的一种非常非常敏感的方法“Sazio说道。

”如果你想制作一个真正的设备,你可以立即想到一个电光功能。“

真实设备的一个例子移入光纤的是长距离网络中使用的掺铒光纤放大器(EDFA)所需的980nm泵浦激光器,目前这种激光器被固定在光纤上。

还有很大的潜力利用光学非线性来执行有用的功能。

“如果你试图利用半导体中的非线性,例如在芯片上,你的长度非常小做到这一点,“使Sazio脱颖而出。

”这里我们有机会让半导体与光线交互巨大的电磁相互作用长度。你真的可以利用那些没有的非线性在正常的器件几何结构中很明显。“

随着CVD工艺的展示,Sazio和他在美国宾夕法尼亚州立大学的同事JohnBadding将开发出能够在内部创建功能结构(如pn结)的技术光纤。

www.soton.ac.uk

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